您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRF6706S2TR1PBF vs IRF6811STRPBF

IRF6706S2TR1PBF备选型号: IRF6811STRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • Infineon Technologies
    IRF6706S2TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric S1
    5
    DIRECTFET S1
    17A Ta 63A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6.5MOhm
    175°C
    -55°C
    26W
    12 ns
    N-Channel
    3.8mOhm @ 17A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1810pF @ 13V
    20nC @ 4.5V
    20ns
    25V
    ±20V
    9.2 ns
    17A
    20V
    25V
    1.81nF
    6.5mOhm
    3.8 mΩ
    558.8μm
    4.826mm
    3.95mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6811STRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    6
    -
    19A Ta 74A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3.7MOhm
    -
    -
    2.1W
    8.7 ns
    N-Channel
    3.7m Ω @ 19A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1590pF @ 13V
    17nC @ 4.5V
    19ns
    -
    ±16V
    5.5 ns
    19A
    16V
    25V
    -
    -
    -
    700μm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    13 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    SILICON
    e1
    2
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    未说明
    R-XBCC-N2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    74A
    32 mJ
    150°C
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF6811STRPBF IRF6811STRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric SQ MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET 对比
IRF6712STR1PBF IRF6712STR1PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric SQ MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET 对比