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首页 全部分类 IRF6706S2TR1PBF vs IRF6712STRPBF

IRF6706S2TR1PBF备选型号: IRF6712STRPBF

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  • 输入电容
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Infineon Technologies
    IRF6706S2TR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric S1
    5
    DIRECTFET S1
    17A Ta 63A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6.5MOhm
    175°C
    -55°C
    26W
    12 ns
    N-Channel
    3.8mOhm @ 17A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1810pF @ 13V
    20nC @ 4.5V
    20ns
    25V
    ±20V
    9.2 ns
    17A
    20V
    25V
    1.81nF
    6.5mOhm
    3.8 mΩ
    558.8μm
    4.826mm
    3.95mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6712STRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    6
    -
    17A Ta 68A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    4.9MOhm
    -
    -
    36W
    11 ns
    N-Channel
    4.9m Ω @ 17A, 10V
    2.4V @ 50μA
    1570pF @ 13V
    18nC @ 4.5V
    40ns
    -
    ±20V
    12 ns
    17A
    20V
    25V
    -
    -
    -
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    e1
    2
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
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