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首页 全部分类 IRF6710S2TRPBF vs BSZ0506NSATMA1

IRF6710S2TRPBF备选型号: BSZ0506NSATMA1

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 宽度
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  • RoHS状态
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6710S2TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric S1
    6
    SILICON
    12A Ta 37A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    15W
    DRAIN
    7.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.9m Ω @ 12A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1190pF @ 13V
    13nC @ 4.5V
    20ns
    ±20V
    6 ns
    12mA
    20V
    0.0059Ohm
    25V
    24 mJ
    558.8μm
    4.826mm
    3.95mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ0506NSATMA1
    Infineon Technologies
    In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ0506NSATMA1
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    15A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    DUAL
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4.4m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    950pF @ 15V
    15nC @ 10V
    2.4ns
    ±20V
    -
    40A
    20V
    0.0053Ohm
    -
    20 mJ
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    yes
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    无卤素
    30V
    15A
    160A
    含铅
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