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首页 全部分类 IRF6710S2TRPBF vs PSMN5R8-30LL,115

IRF6710S2TRPBF备选型号: PSMN5R8-30LL,115

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  • 工厂交货时间
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  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 引脚数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    IRF6710S2TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric S1
    6
    SILICON
    12A Ta 37A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    15W
    DRAIN
    7.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.9m Ω @ 12A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1190pF @ 13V
    13nC @ 4.5V
    20ns
    ±20V
    6 ns
    12mA
    20V
    0.0059Ohm
    25V
    24 mJ
    558.8μm
    4.826mm
    3.95mm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PSMN5R8-30LL,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V QFN3333
    -
    -
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    -
    -
    40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    5.8m Ω @ 10A, 10V
    2.15V @ 1mA
    1316pF @ 15V
    24nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    8
    30V
    40A
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