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首页 全部分类 IRF6711STR1PBF vs BSC034N03LSGATMA1

IRF6711STR1PBF备选型号: BSC034N03LSGATMA1

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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
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  • ECCN 代码
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  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6711STR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    DIRECTFET™ SQ
    19A Ta 84A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    42W
    7.7 ns
    N-Channel
    3.8mOhm @ 19A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1810pF @ 13V
    20nC @ 4.5V
    13ns
    25V
    ±20V
    5.4 ns
    12A
    1.8V
    20V
    25V
    1.81nF
    6.5mOhm
    3.8 mΩ
    1.8 V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
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  • Infineon Technologies
    BSC034N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    22A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2.5W
    6.9 ns
    N-Channel
    3.4m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    4300pF @ 15V
    52nC @ 10V
    4.8ns
    -
    ±20V
    4.6 ns
    100A
    2.2V
    20V
    -
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    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    39 Weeks
    SILICON
    e3
    no
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    30V
    22A
    400A
    55 mJ
    含铅
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