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首页 全部分类 IRF6711STR1PBF vs IRFH7932TRPBF

IRF6711STR1PBF备选型号: IRFH7932TRPBF

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  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • 栅源电压
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 双电源电压
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6711STR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    DIRECTFET™ SQ
    19A Ta 84A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    42W
    7.7 ns
    N-Channel
    3.8mOhm @ 19A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1810pF @ 13V
    20nC @ 4.5V
    13ns
    25V
    ±20V
    5.4 ns
    12A
    1.8V
    20V
    25V
    1.81nF
    6.5mOhm
    3.8 mΩ
    1.8 V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH7932TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    24A Ta 104A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    活跃
    2 (1 Year)
    -
    -
    3.4W
    20 ns
    N-Channel
    3.3m Ω @ 25A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4270pF @ 15V
    51nC @ 4.5V
    48ns
    -
    ±20V
    20 ns
    24A
    1.8V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    1.8 V
    939.8μm
    6.096mm
    5.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    e3
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    30
    R-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    25A
    0.0033Ohm
    30V
    无铅
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