IRF6711STRPBF备选型号: IRFH4255DTRPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 触点镀层
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ26 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric SQ5SILICON19A Ta 84A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009HEXFET®活跃1 (Unlimited)4EAR99BOTTOMR-XBCC-N4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET42WDRAIN7.7 nsN-ChannelSWITCHING3.8m Ω @ 19A, 10V2.35V @ 25μA1810pF @ 13V20nC @ 4.5V13ns±20V5.4 ns19A20V84A0.0038Ohm25V62 mJ506μm4.826mm3.95mmROHS3 Compliant无----------
- MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN-表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8-2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013HEXFET®Obsolete1 (Unlimited)-EAR99-------2 N-Channel (Dual)-3.2m Ω @ 30A, 10V2.1V @ 35μA1314pF @ 13V15nC @ 4.5V---30A20V----900μm6mm5mm符合RoHS标准无Tin38WIRFH4255Dual31W 38W25V1.6V逻辑电平门无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PSMN3R2-25YLC,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | 对比 |
![]() | PSMN3R7-25YLC,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 25V 97A LFPAK | 对比 |
![]() | IRF6706S2TR1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric S1 | MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1 | 对比 |






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