IRF6711STRPBF备选型号: IRFH4255DTRPBF

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 触点镀层
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    SILICON
    19A Ta 84A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    7.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 19A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1810pF @ 13V
    20nC @ 4.5V
    13ns
    ±20V
    5.4 ns
    19A
    20V
    84A
    0.0038Ohm
    25V
    62 mJ
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    HEXFET®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1314pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    30A
    20V
    -
    -
    -
    -
    900μm
    6mm
    5mm
    符合RoHS标准
    Tin
    38W
    IRFH4255
    Dual
    31W 38W
    25V
    1.6V
    逻辑电平门
    无SVHC
    无铅
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