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首页 全部分类 IRF6712STR1PBF vs IRF6636TRPBF

IRF6712STR1PBF备选型号: IRF6636TRPBF

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  • 端子位置
  • 额定电流
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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF6712STR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    DIRECTFET™ SQ
    17A Ta 68A Tc
    -40°C~150°C TJ
    2009
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    4.9MOhm
    150°C
    -40°C
    2.2W
    11 ns
    N-Channel
    4.9mOhm @ 17A, 10V
    2.4V @ 50μA
    1570pF @ 13V
    18nC @ 4.5V
    40ns
    25V
    ±20V
    12 ns
    17A
    1.9V
    20V
    25V
    25V
    1.57nF
    26 ns
    8.7mOhm
    4.9 mΩ
    1.9 V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    符合RoHS标准
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6636TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric ST
    5
    -
    18A Ta 81A Tc
    -40°C~150°C TJ
    2006
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    42W
    14 ns
    N-Channel
    4.5m Ω @ 18A, 10V
    2.45V @ 250μA
    2420pF @ 10V
    27nC @ 4.5V
    19ns
    -
    ±20V
    6.2 ns
    15A
    2.45V
    20V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    12 Weeks
    SILICON
    3
    EAR99
    20V
    BOTTOM
    18A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    28 mJ
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