IRF6712STR1PBF备选型号: IRF6711STR1PBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric SQ5DIRECTFET™ SQ17A Ta 68A Tc-40°C~150°C TJ2009HEXFET®Tape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMT4.9MOhm150°C-40°C2.2W11 nsN-Channel4.9mOhm @ 17A, 10V2.4V @ 50μA1570pF @ 13V18nC @ 4.5V40ns25V±20V12 ns17A1.9V20V25V25V1.57nF26 ns8.7mOhm4.9 mΩ1.9 V506μm4.826mm3.95mm符合RoHS标准无无SVHC无铅
- MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric SQ5DIRECTFET™ SQ19A Ta 84A Tc-40°C~150°C TJ2009HEXFET®Tape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)--150°C-40°C42W7.7 nsN-Channel3.8mOhm @ 19A, 10V2.35V @ 25μA1810pF @ 13V20nC @ 4.5V13ns25V±20V5.4 ns12A1.8V20V25V-1.81nF-6.5mOhm3.8 mΩ1.8 V506μm4.826mm3.95mm符合RoHS标准无无SVHC-
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PHD108NQ03LT,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 75A DPAK | 对比 | |
![]() | IRF6711STR1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric SQ | MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ | 对比 |
![]() | IRLR8256PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 81A DPAK | 对比 |




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