IRF6712STR1PBF备选型号: IRF6711STR1PBF

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  • 最高工作温度
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    DIRECTFET™ SQ
    17A Ta 68A Tc
    -40°C~150°C TJ
    2009
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    4.9MOhm
    150°C
    -40°C
    2.2W
    11 ns
    N-Channel
    4.9mOhm @ 17A, 10V
    2.4V @ 50μA
    1570pF @ 13V
    18nC @ 4.5V
    40ns
    25V
    ±20V
    12 ns
    17A
    1.9V
    20V
    25V
    25V
    1.57nF
    26 ns
    8.7mOhm
    4.9 mΩ
    1.9 V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    符合RoHS标准
    无SVHC
    无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    DIRECTFET™ SQ
    19A Ta 84A Tc
    -40°C~150°C TJ
    2009
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150°C
    -40°C
    42W
    7.7 ns
    N-Channel
    3.8mOhm @ 19A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1810pF @ 13V
    20nC @ 4.5V
    13ns
    25V
    ±20V
    5.4 ns
    12A
    1.8V
    20V
    25V
    -
    1.81nF
    -
    6.5mOhm
    3.8 mΩ
    1.8 V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    符合RoHS标准
    无SVHC
    -
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