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首页 全部分类 IRF6712STR1PBF vs IRLR8256PBF

IRF6712STR1PBF备选型号: IRLR8256PBF

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  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
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  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF6712STR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SQ
    5
    DIRECTFET™ SQ
    17A Ta 68A Tc
    -40°C~150°C TJ
    2009
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    4.9MOhm
    150°C
    -40°C
    2.2W
    11 ns
    N-Channel
    4.9mOhm @ 17A, 10V
    2.4V @ 50μA
    1570pF @ 13V
    18nC @ 4.5V
    40ns
    25V
    ±20V
    12 ns
    17A
    1.9V
    20V
    25V
    25V
    1.57nF
    26 ns
    8.7mOhm
    4.9 mΩ
    1.9 V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    符合RoHS标准
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8256PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    81A Tc
    -55°C~175°C TJ
    2008
    HEXFET®
    Tube
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    5.7MOhm
    -
    -
    63W
    9.7 ns
    N-Channel
    5.7m Ω @ 25A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1470pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    46ns
    -
    ±20V
    8.5 ns
    81A
    1.8V
    20V
    25V
    25V
    -
    29 ns
    -
    -
    1.8 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    Tin
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-252AA
    86 mJ
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