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首页 全部分类 IRF6715MTR1PBF vs IRF6716MTRPBF

IRF6715MTR1PBF备选型号: IRF6716MTRPBF

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  • 达到SVHC
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  • RoHS状态
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  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF6715MTR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    DIRECTFET™ MX
    4.5V 10V
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    150°C
    -40°C
    Single
    2.8W
    20 ns
    N-Channel
    1.6mOhm @ 34A, 10V
    2.4V @ 100μA
    5340pF @ 13V
    59nC @ 4.5V
    31ns
    25V
    ±20V
    12 ns
    34A
    1.9V
    20V
    25V
    25V
    5.34nF
    42 ns
    2.7mOhm
    1.6 mΩ
    1.9 V
    508μm
    5.45mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6716MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    -
    39A Ta 180A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    78W
    26 ns
    N-Channel
    1.6m Ω @ 40A, 10V
    2.4V @ 100μA
    5150pF @ 13V
    59nC @ 4.5V
    105ns
    -
    ±20V
    41 ns
    39A
    1.9V
    20V
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    e1
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    180A
    0.0016Ohm
    320A
    330 mJ
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