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首页 全部分类 IRF6715MTR1PBF vs IRF6717MTR1PBF

IRF6715MTR1PBF备选型号: IRF6717MTR1PBF

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  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IRF6715MTR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    DIRECTFET™ MX
    4.5V 10V
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    150°C
    -40°C
    Single
    2.8W
    20 ns
    N-Channel
    1.6mOhm @ 34A, 10V
    2.4V @ 100μA
    5340pF @ 13V
    59nC @ 4.5V
    31ns
    25V
    ±20V
    12 ns
    34A
    1.9V
    20V
    25V
    25V
    5.34nF
    42 ns
    2.7mOhm
    1.6 mΩ
    1.9 V
    508μm
    5.45mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6717MTR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    -
    38A Ta 200A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    -
    -
    Single
    96W
    25 ns
    N-Channel
    1.25m Ω @ 38A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6750pF @ 13V
    69nC @ 4.5V
    37ns
    -
    ±20V
    15 ns
    38A
    1.8V
    20V
    25V
    25V
    -
    41 ns
    -
    -
    1.8 V
    533.4μm
    5.45mm
    5.05mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    12 Weeks
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    1.25MOhm
    哑光锡
    BOTTOM
    260
    40
    R-XBCC-N3
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    300A
    290 mJ
    无铅
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