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首页 全部分类 IRF6715MTRPBF vs IRF6797MTRPBF

IRF6715MTRPBF备选型号: IRF6797MTRPBF

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  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 附加功能
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRF6715MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    SILICON
    34A Ta 180A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.6m Ω @ 34A, 10V
    2.4V @ 100μA
    5340pF @ 13V
    59nC @ 4.5V
    31ns
    ±20V
    12 ns
    34A
    20V
    25V
    200 mJ
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6797MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET-MX
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    SILICON
    36A Ta 210A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4m Ω @ 38A, 10V
    2.35V @ 150μA
    5790pF @ 13V
    68nC @ 4.5V
    32ns
    ±20V
    15 ns
    36A
    20V
    25V
    260 mJ
    506μm
    6.35mm
    5.05mm
    无
    ROHS3 Compliant
    低导通损耗
    300A
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