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首页 全部分类 IRF6718L2TRPBF vs IRF6717MTRPBF

IRF6718L2TRPBF备选型号: IRF6717MTRPBF

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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 配置
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF6718L2TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L6
    13
    SILICON
    61A Ta 270A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e1
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    BOTTOM
    R-XBCC-N7
    Single
    增强型MOSFET
    4.3W
    DRAIN
    67 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    0.7m Ω @ 61A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6500pF @ 13V
    96nC @ 4.5V
    140ns
    ±20V
    53 ns
    61A
    20V
    270A
    0.0007Ohm
    25V
    490A
    530 mJ
    508μm
    9.144mm
    7.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6717MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    5
    SILICON
    38A Ta 200A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    -
    增强型MOSFET
    96W
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.25m Ω @ 38A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6750pF @ 13V
    69nC @ 4.5V
    37ns
    ±20V
    15 ns
    38A
    20V
    220A
    -
    25V
    300A
    290 mJ
    530μm
    6.35mm
    5.05mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1.8 V
    无SVHC
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