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首页 全部分类 IRF6718L2TRPBF vs NTMFS4H01NT3G

IRF6718L2TRPBF备选型号: NTMFS4H01NT3G

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 生命周期状态
  • 无铅代码
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    IRF6718L2TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L6
    13
    SILICON
    61A Ta 270A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e1
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    BOTTOM
    R-XBCC-N7
    Single
    增强型MOSFET
    4.3W
    DRAIN
    67 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    0.7m Ω @ 61A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6500pF @ 13V
    96nC @ 4.5V
    140ns
    ±20V
    53 ns
    61A
    20V
    270A
    0.0007Ohm
    25V
    490A
    530 mJ
    508μm
    9.144mm
    7.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS4H01NT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    54A Ta 334A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    0.7m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 250μA
    5693pF @ 12V
    85nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    334A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    yes
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    25V
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