Infineon Technologies IRF6718L2TRPBF

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric L6

引脚数

13

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

61A Ta 270A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

4.3W Ta 83W Tc

Turn Off Delay Time

47 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2010

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

7

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

R-XBCC-N7

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

4.3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

67 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

0.7m Ω @ 61A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6500pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

96nC @ 4.5V

上升时间

140ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

53 ns

连续放电电流(ID)

61A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

270A

漏极-源极导通最大电阻

0.0007Ohm

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

490A

雪崩能量等级（Eas）

530 mJ

高度

508μm

长度

9.144mm

宽度

7.1mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅