IRF6722MTR1PBF备选型号: IRF6721STR1PBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 栅源电压
- MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric MP5DIRECTFET™ MP13A Ta 56A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2007Obsolete3 (168 Hours)150°C-40°C42W11 nsN-Channel7.7mOhm @ 13A, 10V2.4V @ 50μA1300pF @ 15V17nC @ 4.5V7.8ns30V±20V6.1 ns13A1.8V20V30V1.3nF29 ns10.8mOhm7.7 mΩ508μm6.35mm5.05mm无SVHC无符合RoHS标准-
- MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric SQ6DIRECTFET™ SQ14A Ta 60A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2007Obsolete1 (Unlimited)150°C-40°C2.2W7.8 nsN-Channel7.3mOhm @ 14A, 10V2.4V @ 25μA1430pF @ 15V17nC @ 4.5V8.9ns30V±20V5.3 ns14A1.9V20V30V1.43nF26 ns10.9mOhm7.3 mΩ508μm4.826mm3.95mm无SVHC无符合RoHS标准1.9 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF3707ZSPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK | 对比 |
![]() | IRF6721STR1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric SQ | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | 对比 |
![]() | IRF6621TR1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric SQ | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET | 对比 |





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