Infineon Technologies IRF6722MTR1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MP

引脚数

5

供应商器件包装

DIRECTFET™ MP

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Ta 56A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 42W Tc

Turn Off Delay Time

9.5 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

功率耗散

42W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.7mOhm @ 13A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 4.5V

上升时间

7.8ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6.1 ns

连续放电电流(ID)

13A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

输入电容

1.3nF

恢复时间

29 ns

漏源电阻

10.8mOhm

最大rds

7.7 mΩ

高度

508μm

长度

6.35mm

宽度

5.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准