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IRF6722STR1PBF备选型号: STD65N3LLH5

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  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRF6722STR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric ST
    5
    DIRECTFET™ ST
    13A Ta 58A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    SMD/SMT
    7.3MOhm
    150°C
    -40°C
    2.2W
    7.7 ns
    N-Channel
    7.3mOhm @ 13A, 10V
    2.4V @ 50μA
    1320pF @ 15V
    17nC @ 4.5V
    11ns
    30V
    ±20V
    5.7 ns
    13A
    20V
    30V
    30V
    1.32nF
    32 ns
    10.3mOhm
    7.3 mΩ
    1.9 V
    506μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
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    -
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    -
    -
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    -
  • STMicroelectronics
    STD65N3LLH5
    STMicroelectronics
    MOSFET N CH 30V 65A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    65A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    50W
    -
    N-Channel
    6.9m Ω @ 32.5A, 10V
    3V @ 250μA
    1290pF @ 25V
    8nC @ 4.5V
    11.2ns
    -
    ±22V
    6 ns
    65A
    22V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    SILICON
    Figure 19
    2
    EAR99
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    STD65N
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.0097Ohm
    260A
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