Infineon Technologies IRF6722STR1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric ST

引脚数

5

供应商器件包装

DIRECTFET™ ST

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Ta 58A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.2W Ta 42W Tc

Turn Off Delay Time

8.5 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终端

SMD/SMT

电阻

7.3MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

功率耗散

2.2W

接通延迟时间

7.7 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.3mOhm @ 13A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1320pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 4.5V

上升时间

11ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.7 ns

连续放电电流(ID)

13A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

输入电容

1.32nF

恢复时间

32 ns

漏源电阻

10.3mOhm

最大rds

7.3 mΩ

栅源电压

1.9 V

高度

506μm

长度

4.826mm

宽度

3.95mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅