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首页 全部分类 IRF6726MTR1PBF vs IRF6797MTR1PBF

IRF6726MTR1PBF备选型号: IRF6797MTR1PBF

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  • 场效应管类型
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  • 阈值电压
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  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 电阻
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IRF6726MTR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MT
    7
    SILICON
    32A Ta 180A Tc
    -40°C~150°C TJ
    2007
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    Single
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.7m Ω @ 32A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6140pF @ 15V
    77nC @ 4.5V
    30ns
    ±20V
    17 ns
    32A
    1.7V
    20V
    30V
    250A
    30V
    260 mJ
    41 ns
    1.7 V
    508μm
    5.45mm
    5.05mm
    符合RoHS标准
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6797MTR1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    -
    36A Ta 210A Tc
    -40°C~150°C TJ
    2008
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    SMD/SMT
    -
    -
    -
    -
    -
    2.8W
    -
    22 ns
    N-Channel
    -
    1.4mOhm @ 38A, 10V
    2.35V @ 150μA
    5790pF @ 13V
    68nC @ 4.5V
    32ns
    ±20V
    15 ns
    36A
    1.8V
    20V
    25V
    -
    25V
    -
    45 ns
    1.8 V
    508μm
    5.45mm
    5.05mm
    符合RoHS标准
    无
    无SVHC
    无铅
    DIRECTFET™ MX
    2.4MOhm
    150°C
    -40°C
    25V
    5.79nF
    2.4mOhm
    1.4 mΩ
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