Infineon Technologies IRF6726MTR1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MT

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

32A Ta 180A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

25 ns

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 89W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

已出版

2007

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

R-XBCC-N3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.7m Ω @ 32A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6140pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

77nC @ 4.5V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

17 ns

连续放电电流(ID)

32A

阈值电压

1.7V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

250A

双电源电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

260 mJ

恢复时间

41 ns

栅源电压

1.7 V

高度

508μm

长度

5.45mm

宽度

5.05mm

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅