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首页 全部分类 IRF6892STRPBF vs BSC015NE2LS5IATMA1

IRF6892STRPBF备选型号: BSC015NE2LS5IATMA1

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  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
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  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IRF6892STRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 25V 28A S3
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric S3C
    8
    28A Ta 125A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.3mOhm
    未说明
    未说明
    Single
    N-Channel
    1.7m Ω @ 28A, 10V
    2.1V @ 50μA
    2510pF @ 13V
    25nC @ 4.5V
    25V
    ±16V
    125A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC015NE2LS5IATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    4.5V 10V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    1.5m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    2000pF @ 12V
    30nC @ 10V
    -
    ±16V
    100A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SILICON
    yes
    5
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    R-PDSO-F5
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    25V
    33A
    0.0022Ohm
    400A
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