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首页 全部分类 IRF6892STRPBF vs IRF6894MTRPBF

IRF6892STRPBF备选型号: IRF6894MTRPBF

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  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRF6892STRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 25V 28A S3
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric S3C
    8
    28A Ta 125A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.3mOhm
    未说明
    未说明
    Single
    N-Channel
    1.7m Ω @ 28A, 10V
    2.1V @ 50μA
    2510pF @ 13V
    25nC @ 4.5V
    25V
    ±16V
    125A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6894MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    7
    32A Ta 160A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.3MOhm
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    1.3m Ω @ 33A, 10V
    2.1V @ 100μA
    4160pF @ 13V
    39nC @ 4.5V
    -
    ±16V
    32A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    3
    Matte Tin (Sn)
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    增强型MOSFET
    54W
    DRAIN
    16 ns
    SWITCHING
    42ns
    14 ns
    16V
    33A
    25V
    260A
    Schottky Diode (Body)
    无
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