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首页 全部分类 IRF7103TRPBF vs ZXMN6A11DN8TA

IRF7103TRPBF备选型号: ZXMN6A11DN8TA

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  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 通道数量
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  • Infineon Technologies
    IRF7103TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    IRF7103TRPBF
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    130mOhm
    逻辑电平兼容
    50V
    2W
    鸥翼
    3A
    IRF7103PBF
    6.3 mm
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    5.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    130m Ω @ 3A, 10V
    3V @ 250μA
    290pF @ 25V
    30nC @ 10V
    8ns
    25 ns
    3A
    3V
    20V
    3A
    50V
    50V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    100 ns
    Standard
    3 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN6A11DN8TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS
    17 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    -
    2.5A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    120mOhm
    -
    60V
    2.1W
    鸥翼
    2.7A
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.1W
    1.95 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    120m Ω @ 2.5A, 10V
    1V @ 250μA (Min)
    330pF @ 40V
    5.7nC @ 10V
    3.5ns
    4.6 ns
    3.2A
    1V
    20V
    -
    60V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    逻辑电平门
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    73.992255mg
    yes
    Matte Tin (Sn)
    260
    40
    8
    2
    1.8W
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