IRF7306TRPBF备选型号: IRF7326D2TRPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- 行间距
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- Vgs(最大值)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC12 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON3.6A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997e3活跃1 (Unlimited)8EAR99100mOhm超低电阻-30V2W鸥翼-3.6AIRF7306PBF6.3 mm2Dual增强型MOSFET2W11 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING100m Ω @ 1.8A, 10V1V @ 250μA440pF @ 25V25nC @ 10V17ns30V18 ns-3.6A-1V20V-30V14AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR80 ns150°C逻辑电平门-1 V1.75mm4.9784mm4.05mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
- MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC--表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-3.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FETKY™2004-Obsolete1 (Unlimited)-----30V---3.6A-----2W-P-Channel-100mOhm @ 1.8A, 10V1V @ 250μA440pF @ 25V25nC @ 10V-30V--3.6A-20V-30V----Schottky Diode (Isolated)------符合RoHS标准无铅8-SO150°C-55°C±20V440pF160mOhm100 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7326D2TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC | 对比 |
| NDS9952A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC N T/R | 对比 |



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