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首页 全部分类 IRF7317TRPBF vs FDS8928A

IRF7317TRPBF备选型号: FDS8928A

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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 无铅代码
  • 功率 - 最大
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    IRF7317TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    6.6A 5.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    29mOhm
    Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    2W
    DUAL
    鸥翼
    6.6A
    IRF7317PBF
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    29m Ω @ 6A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    900pF @ 15V
    27nC @ 4.5V
    40ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    49 ns
    6.6A
    700mV
    12V
    20V
    100 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    700 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8928A
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A/4A 8-Pin SOIC N T/R
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    5.5A 4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    30MOhm
    -
    -
    2W
    DUAL
    鸥翼
    5.5A
    -
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 5.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    900pF @ 10V
    28nC @ 4.5V
    23ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    90 ns
    5.5A
    670mV
    8V
    -20V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    670 mV
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    Tin
    230.4mg
    yes
    900mW
    30V 20V
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDS8928A FDS8928A ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 5.5A/4A 8-Pin SOIC N T/R 对比