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首页 全部分类 IRF7324TRPBF vs FDS6898A

IRF7324TRPBF备选型号: FDS6898A

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 场效应管特性
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  • 终端
  • 通道数量
  • 功率 - 最大
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  • 栅源电压
  • Infineon Technologies
    IRF7324TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    9A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    18mOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -20V
    2W
    鸥翼
    260
    -9A
    30
    IRF7324PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    17 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    18m Ω @ 9A, 4.5V
    1V @ 250μA
    2940pF @ 15V
    63nC @ 5V
    36ns
    20V
    190 ns
    -9A
    -1V
    12V
    9A
    -20V
    71A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    270 ns
    150°C
    逻辑电平门
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6898A
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    14MOhm
    -
    -
    20V
    2W
    鸥翼
    -
    9.4A
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    10 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    14m Ω @ 9.4A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1821pF @ 10V
    23nC @ 4.5V
    15ns
    -
    16 ns
    9.4A
    500mV
    12V
    -
    20V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    150°C
    逻辑电平门
    1.75mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    187mg
    yes
    SMD/SMT
    2
    900mW
    20V
    1 V
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