IRF7326D2TRPBF备选型号: NDS9952A
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
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- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 终端
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- 电阻
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 栅源电压
- 达到SVHC
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- MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SO3.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FETKY™2004Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C-30V-3.6A2WP-Channel100mOhm @ 1.8A, 10V1V @ 250μA440pF @ 25V25nC @ 10V30V±20V-3.6A20V-30V440pFSchottky Diode (Isolated)160mOhm100 mΩ符合RoHS标准无铅--------------------------
- Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC N T/R表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-3.7A 2.9A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)--活跃1 (Unlimited)---2.9A2WN and P-Channel80m Ω @ 1A, 10V2.8V @ 250μA320pF @ 10V25nC @ 10V--3.7A20V30V-逻辑电平门--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)18 Weeks230.4mgSILICONe3yes8SMD/SMTEAR9980MOhmTin (Sn)900mW鸥翼Dual增强型MOSFETSWITCHING21nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL8 ns1.7V15A30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR1.7 V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7306TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC | 对比 |
| NDS9952A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC N T/R | 对比 |



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