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首页 全部分类 IRF7342TRPBF vs AUIRF7342QTR

IRF7342TRPBF备选型号: AUIRF7342QTR

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  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    IRF7342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    3.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    105mOhm
    超低电阻
    -55V
    2W
    鸥翼
    -3.4A
    IRF7342PBF
    6.3 mm
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    14 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    105m Ω @ 3.4A, 10V
    1V @ 250μA
    690pF @ 25V
    38nC @ 10V
    10ns
    55V
    22 ns
    -3.4A
    -1V
    20V
    -55V
    114 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    80 ns
    150°C
    逻辑电平门
    -1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRF7342QTR
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    -
    2W
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    14 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    105m Ω @ 3.4A, 10V
    3V @ 250μA
    690pF @ 25V
    38nC @ 10V
    10ns
    55V
    22 ns
    3.4A
    -1V
    20V
    -55V
    114 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    逻辑电平门
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    0.105Ohm
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