IRF7342TRPBF备选型号: FDS9945
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- 行间距
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 功率 - 最大
- MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON3.4A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1999活跃1 (Unlimited)8EAR99105mOhm超低电阻-55V2W鸥翼-3.4AIRF7342PBF6.3 mm2Dual增强型MOSFET2W14 ns2 P-Channel (Dual)SWITCHING105m Ω @ 3.4A, 10V1V @ 250μA690pF @ 25V38nC @ 10V10ns55V22 ns-3.4A-1V20V-55V114 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR80 ns150°C逻辑电平门-1 V1.75mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free------
- MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO21 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2001活跃1 (Unlimited)8EAR99100MOhm-60V2W鸥翼3.5A---Dual增强型MOSFET2W7 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING100m Ω @ 3.5A, 10V3V @ 250μA420pF @ 30V13nC @ 5V4.3ns-3 ns3.5A2.5V20V60V-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR--逻辑电平门2.5 V1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)Tin187mge3yes1W
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS9945 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO | 对比 | |
| NDS9945 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC | 对比 |



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