ON Semiconductor FDS9945
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FDS9945
1807-FDS9945
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO
--最小包装量--
FDS9945详情
ON Semiconductor FDS9945重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)
工厂交货时间
21 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
187mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
19 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2001
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
100MOhm
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
2W
终端形式
鸥翼
额定电流
3.5A
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
接通延迟时间
7 ns
功率 - 最大
1W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 3.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
420pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 5V
上升时间
4.3ns
下降时间(典型值)
3 ns
连续放电电流(ID)
3.5A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
栅源电压
2.5 V
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDS9945拓展信息










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