您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IRF7351TRPBF vs BSO615NGHUMA1

IRF7351TRPBF备选型号: BSO615NGHUMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF7351TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2W
    鸥翼
    IRF7351PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    5.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    17.8m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 50μA
    1330pF @ 30V
    36nC @ 10V
    5.9ns
    60V
    6.7 ns
    8A
    20V
    8A
    60V
    64A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSO615NGHUMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 8-Pin SO
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    2005
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    BSO615
    -
    增强型MOSFET
    2W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    150m Ω @ 2.6A, 4.5V
    2V @ 20μA
    380pF @ 25V
    20nC @ 10V
    15ns
    -
    -
    2.6A
    20V
    -
    -
    10.4A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    yes
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    60V
    2.6A
    8
    不含卤素
    60V
    0.15Ohm
    60 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMN6040SSS-13 DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO 对比
BSO615CGHUMA1 BSO615CGHUMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A Automotive 8-Pin DSO T/R 对比
BSO615NGHUMA1 BSO615NGHUMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 8-Pin SO 对比