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首页 全部分类 IRF7351TRPBF vs IRF7855TRPBF

IRF7351TRPBF备选型号: IRF7855TRPBF

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 端子位置
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF7351TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2W
    鸥翼
    IRF7351PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    5.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    17.8m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 50μA
    1330pF @ 30V
    36nC @ 10V
    5.9ns
    60V
    6.7 ns
    8A
    20V
    8A
    60V
    64A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7855TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    12A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    8.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.4m Ω @ 12A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1560pF @ 25V
    39nC @ 10V
    13ns
    -
    12 ns
    12A
    20V
    -
    60V
    97A
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    9.4MOhm
    DUAL
    ±20V
    540 mJ
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