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首页 全部分类 IRF7353D1PBF vs IRF7319TRPBF

IRF7353D1PBF备选型号: IRF7319TRPBF

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  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • Infineon Technologies
    IRF7353D1PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    6.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FETKY™
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    30V
    6.5A
    20W
    8.1 ns
    2.7A
    N-Channel
    32mOhm @ 5.8A, 10V
    1V @ 250μA
    650pF @ 25V
    33nC @ 10V
    8.9ns
    30V
    ±20V
    390mV
    17 ns
    6.5A
    1V
    20V
    30V
    30V
    650pF
    11A
    Schottky Diode (Isolated)
    46mOhm
    32 mΩ
    1 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7319TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    6.5A
    2W
    -
    -
    N and P-Channel
    29m Ω @ 5.8A, 10V
    1V @ 250μA
    650pF @ 25V
    33nC @ 10V
    13ns
    -
    -
    -
    32 ns
    6.5A
    1V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    Standard
    -
    -
    1 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    8
    EAR99
    29mOhm
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    2W
    DUAL
    鸥翼
    IRF7319PBF
    6.3 mm
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    30A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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