Infineon Technologies IRF7353D1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Turn Off Delay Time

26 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

FETKY™

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

额定电流

6.5A

功率耗散

20W

接通延迟时间

8.1 ns

正向电流

2.7A

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

32mOhm @ 5.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 10V

上升时间

8.9ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

正向电压

390mV

下降时间（典型值）

17 ns

连续放电电流(ID)

6.5A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

输入电容

650pF

最大正向浪涌电流（Ifsm）

11A

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

漏源电阻

46mOhm

最大rds

32 mΩ

栅源电压

1 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅