Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8TA

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

73.992255mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.9A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

21.6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

35mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

2.1W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

4.8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.1W

接通延迟时间

3 ns

功率 - 最大

1.8W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

796pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.5nC @ 10V

上升时间

6.4ns

下降时间（典型值）

9.4 ns

连续放电电流(ID)

6.2A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.9A

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1 V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅