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首页 全部分类 IRF7401TRPBF vs IRF7404TRPBF

IRF7401TRPBF备选型号: IRF7404TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 触点镀层
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRF7401TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC
    12 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    65 ns
    2004
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    22mOhm
    超低电阻
    20V
    DUAL
    鸥翼
    8.7A
    6.3 mm
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 4.1A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    1600pF @ 15V
    48nC @ 4.5V
    72ns
    ±12V
    92 ns
    8.7A
    700mV
    12V
    20V
    35A
    20V
    700 mV
    3.9878mm
    4.9784mm
    1.4986mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7404TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
    12 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    6.7A Ta
    2004
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    40mOhm
    逻辑电平兼容
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    -6.7A
    6.3 mm
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    14 ns
    P-Channel
    -
    40m Ω @ 3.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    1500pF @ 15V
    50nC @ 4.5V
    32ns
    ±12V
    65 ns
    -6.7A
    -700mV
    12V
    -20V
    -
    -20V
    -700 mV
    3.9878mm
    4.9784mm
    1.4986mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    Tin
    e3
    260
    30
    20V
    5.3A
    100 ns
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DMC2020USD-13 DMC2020USD-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO 对比