Infineon Technologies IRF7404TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

40mOhm

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-6.7A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

行间距

6.3 mm

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 3.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1500pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 4.5V

上升时间

32ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

65 ns

连续放电电流(ID)

-6.7A

阈值电压

-700mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.3A

漏源击穿电压

-20V

双电源电压

-20V

恢复时间

100 ns

栅源电压

-700 mV

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅