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首页 全部分类 IRF7402PBF vs FDS9934C

IRF7402PBF备选型号: FDS9934C

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  • 端子表面处理
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  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Infineon Technologies
    IRF7402PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SO
    6.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    35MOhm
    150°C
    -55°C
    20V
    6.8A
    6.3 mm
    2.5W
    5.1 ns
    N-Channel
    35mOhm @ 4.1A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    650pF @ 15V
    22nC @ 4.5V
    47ns
    20V
    ±12V
    32 ns
    6.8A
    700mV
    12V
    20V
    20V
    650pF
    35mOhm
    35 mΩ
    700 mV
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS9934C
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V Complementary PowerTrench
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    6.5A 5A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    30MOhm
    -
    -
    -
    6.5A
    -
    2W
    16 ns
    N and P-Channel
    30m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    650pF @ 10V
    9nC @ 4.5V
    9ns
    -
    -
    9 ns
    6.5A
    1V
    12V
    20V
    20V
    -
    -
    -
    1 V
    1.575mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)
    18 Weeks
    187mg
    SILICON
    e3
    yes
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin (Sn)
    2W
    DUAL
    鸥翼
    增强型MOSFET
    900mW
    SWITCHING
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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