Infineon Technologies IRF7402PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

35MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

20V

额定电流

6.8A

行间距

6.3 mm

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

5.1 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

35mOhm @ 4.1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 4.5V

上升时间

47ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

32 ns

连续放电电流(ID)

6.8A

阈值电压

700mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

双电源电压

20V

输入电容

650pF

漏源电阻

35mOhm

最大rds

35 mΩ

栅源电压

700 mV

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅