IRF7451PBF备选型号: IRF7451TRPBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- 系列
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- INFINEON IRF7451PBF MOSFET Transistor, N Channel, 3.6 A, 150 V, 90 mohm, 10 V, 5.5 V表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)83.6A TaTubeHEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)8SMD/SMTEAR99150°C-55°C150VDUAL鸥翼3.6ASINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.5W10 nsN-ChannelSWITCHING90m Ω @ 2.2A, 10V5.5V @ 250μA990pF @ 25V41nC @ 10V4.2ns±30V15 ns3.6A5.5V30V0.09Ohm150V29A150V5.5 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无符合RoHS标准无铅---
- MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)83.6A TaTape & Reel (TR)HEXFET®2004活跃1 (Unlimited)8-EAR99--150VDUAL鸥翼3.6ASINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.5W10 nsN-ChannelSWITCHING90m Ω @ 2.2A, 10V5.5V @ 250μA990pF @ 25V41nC @ 10V4.2ns±30V15 ns3.6A-30V0.09Ohm150V29A--1.4986mm4.9784mm3.9878mm-无ROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICON-55°C~150°C TJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7451TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOIC | 对比 |
![]() | IRF7450TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRF7205TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC | 对比 |



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