Infineon Technologies IRF7450TRPBF

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

电阻

170mOhm

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

200V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

2.5A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

170m Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

940pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39nC @ 10V

上升时间

3ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

18 ns

连续放电电流(ID)

2.5A

阈值电压

5.5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

双电源电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

230 mJ

栅源电压

5.5 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free