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首页 全部分类 IRF7451PBF vs STS4NF100

IRF7451PBF备选型号: STS4NF100

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    IRF7451PBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRF7451PBF MOSFET Transistor, N Channel, 3.6 A, 150 V, 90 mohm, 10 V, 5.5 V
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    3.6A Ta
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    150°C
    -55°C
    150V
    DUAL
    鸥翼
    3.6A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 2.2A, 10V
    5.5V @ 250μA
    990pF @ 25V
    41nC @ 10V
    4.2ns
    ±30V
    15 ns
    3.6A
    5.5V
    30V
    0.09Ohm
    150V
    29A
    150V
    5.5 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STS4NF100
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 100V 4A 8-Pin SO N T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    4A Tc
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    -
    -
    100V
    DUAL
    鸥翼
    4A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    58 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 2A, 10V
    4V @ 250μA
    870pF @ 25V
    41nC @ 10V
    45ns
    ±20V
    17 ns
    4A
    -
    20V
    0.07Ohm
    100V
    -
    -
    -
    1.25mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    260
    30
    STS4N
    8
    4A
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