IRF7469TRPBF备选型号: IRF7240TRPBF

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 恢复时间
  • 最大结点温度(Tj)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    17MOhm
    40V
    DUAL
    鸥翼
    9A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    17m Ω @ 9A, 10V
    3V @ 250μA
    2000pF @ 20V
    23nC @ 4.5V
    2.2ns
    ±20V
    3.5 ns
    9A
    3V
    20V
    9A
    40V
    73A
    3 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    10.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    15mOhm
    -40V
    DUAL
    鸥翼
    -10.5A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    52 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 10.5A, 10V
    3V @ 250μA
    9250pF @ 25V
    110nC @ 10V
    490ns
    ±20V
    97 ns
    -10.5A
    -3V
    20V
    -
    -40V
    43A
    -
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    超低电阻
    1
    40V
    65 ns
    150°C
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