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首页 全部分类 IRF7480MTRPBF vs IRL7486MTRPBF

IRF7480MTRPBF备选型号: IRL7486MTRPBF

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  • ECCN 代码
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IRF7480MTRPBF
    Infineon Technologies
    On a Reel of 4800, N-Channel MOSFET, 330 A, 40 V, 6 Tab-Pin ME Infineon IRF7480MTRPBF
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric ME
    10
    SILICON
    217A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    未说明
    R-XBCC-N6
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2m Ω @ 132A, 10V
    3.9V @ 150μA
    6680pF @ 25V
    185nC @ 10V
    70ns
    40V
    ±20V
    58 ns
    217A
    20V
    868A
    40V
    206 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL7486MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 209A
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric ME
    2
    SILICON
    209A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    BOTTOM
    无铅
    未说明
    未说明
    R-XBCC-N6
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.25m Ω @ 123A, 10V
    2.5V @ 150μA
    6904pF @ 25V
    111nC @ 4.5V
    -
    40V
    ±20V
    -
    209A
    20V
    836A
    40V
    190 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.8V
    700μm
    6.35mm
    5.05mm
    Unknown
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