Infineon Technologies IRL7486MTRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric ME

引脚数

2

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

209A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

104W Tc

Turn Off Delay Time

54 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-XBCC-N6

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.25m Ω @ 123A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6904pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

111nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

209A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

836A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

190 mJ

高度

700μm

长度

6.35mm

宽度

5.05mm

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅