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首页 全部分类 IRF7494PBF vs FDS2582

IRF7494PBF备选型号: FDS2582

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  • 供应商器件包装
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  • 接通延迟时间
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRF7494PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    8-SO
    5.1A Ta
    2008
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    44MOhm
    150°C
    -55°C
    3W
    9 ns
    N-Channel
    44mOhm @ 3.1A, 10V
    4V @ 250μA
    1783pF @ 25V
    53nC @ 10V
    10ns
    150V
    ±20V
    14 ns
    5.2A
    4V
    20V
    150V
    150V
    1.75nF
    44mOhm
    44 mΩ
    4 V
    3.9878mm
    4.9784mm
    1.4986mm
    符合RoHS标准
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS2582
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    4.1A Ta
    2002
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    66MOhm
    -
    -
    2.5W
    11 ns
    N-Channel
    66m Ω @ 4.1A, 10V
    4V @ 250μA
    1290pF @ 25V
    25nC @ 10V
    19ns
    -
    ±20V
    26 ns
    4.1A
    4V
    20V
    150V
    150V
    -
    -
    -
    4 V
    4mm
    5mm
    1.5mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    11 Weeks
    Tin
    130mg
    SILICON
    e4
    yes
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    150V
    DUAL
    鸥翼
    4.1A
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    252 mJ
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