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首页 全部分类 IRF7494PBF vs IRF7815PBF

IRF7494PBF备选型号: IRF7815PBF

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  • 输入电容
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  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • Infineon Technologies
    IRF7494PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    8-SO
    5.1A Ta
    2008
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    44MOhm
    150°C
    -55°C
    3W
    9 ns
    N-Channel
    44mOhm @ 3.1A, 10V
    4V @ 250μA
    1783pF @ 25V
    53nC @ 10V
    10ns
    150V
    ±20V
    14 ns
    5.2A
    4V
    20V
    150V
    150V
    1.75nF
    44mOhm
    44 mΩ
    4 V
    3.9878mm
    4.9784mm
    1.4986mm
    符合RoHS标准
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7815PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    5.1A Ta
    2009
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    8.4 ns
    N-Channel
    43m Ω @ 3.1A, 10V
    5V @ 100μA
    1647pF @ 75V
    38nC @ 10V
    3.2ns
    -
    ±20V
    8.3 ns
    5.1A
    4V
    20V
    150V
    -
    -
    -
    -
    4 V
    3.9878mm
    4.9784mm
    1.4986mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    SILICON
    3
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    R-PDSO-G3
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    0.043Ohm
    529 mJ
    62 ns
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