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首页 全部分类 IRF7507TRPBF vs IRF7504TRPBF

IRF7507TRPBF备选型号: IRF7504TRPBF

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  • 场效应管类型
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  • 极性/通道类型
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • Infineon Technologies
    IRF7507TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    SILICON
    2.4A 1.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1998
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    270mOhm
    Matte Tin (Sn)
    超低电阻
    1.25W
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    IRF7507PBF
    增强型MOSFET
    1.25W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    140m Ω @ 1.7A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    260pF @ 15V
    8nC @ 4.5V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    2.4A
    700mV
    12V
    20V
    19A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    700 mV
    860μm
    3mm
    3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7504TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    SILICON
    1.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    e3
    不用于新设计
    2 (1 Year)
    8
    -
    270mOhm
    -
    逻辑电平兼容
    1.25W
    -
    鸥翼
    -
    -
    IRF7504PBF
    增强型MOSFET
    1.25W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    270m Ω @ 1.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    240pF @ 15V
    8.2nC @ 4.5V
    -
    -1.7A
    -700mV
    12V
    -20V
    9.6A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    860μm
    3mm
    3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    -20V
    -1.7A
    Dual
    9.1 ns
    35ns
    20V
    43 ns
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